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== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Optimal low-rank approximations for linear Gaussian inverse problems on Hilbert spaces, Part II: posterior mean approximation
* '''中文标题'''：希尔伯特空间上线性高斯反问题的最优低秩逼近方法（第二部分）：后验均值逼近
* '''发布日期'''：2025-03-31 15:26:48+00:00
* '''作者'''：Giuseppe Carere, Han Cheng Lie
* '''分类'''：math.ST, math.PR, stat.TH, 28C20, 47A58, 60G15, 62F15, 62G05
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2503.24209v1
'''中文摘要'''：摘要：本研究针对线性[[高斯逆问题]]中的[[高斯后验分布]]构建了最优[[低秩近似]]方法。[[参数空间]]为可能无限维的[[可分希尔伯特空间]]，[[数据空间]]则设为有限维。我们考虑了多种后验分布的近似族：首先研究[[均值]]在保持结构或忽略结构的低秩[[数据变换]]类中变化、而保持后验[[协方差]]固定的近似后验，给出了这些近似后验对所有可能数据实现均与精确后验等价的充要条件。对此类近似，我们采用[[Kullback-Leibler散度]]、[[Rényi散度]]、[[Amari α-散度]]（α∈(0,1)）及[[Hellinger距离]]作为平均数据分布下的误差度量，据此找到最优近似并建立了唯一性的等价条件，拓展了Spantini等人（SIAM J. Sci. Comput. 2015）在有限维的工作。随后我们通过联合变化均值与协方差（协方差采用本工作第一部分所述的低秩更新）进行联合近似，证明对于反向[[Kullback-Leibler散度]]，均值与协方差的单独最优近似可组合为联合最优近似。此外，我们还从参数空间最优[[投影算子]]的角度解释了具有最优忽略结构近似均值的联合近似。

== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Electronic structure of UGe$_2$ at ambient pressure: comparison with X-ray photoemission spectra
* '''中文标题'''：常压下UGe$_2$的电子结构：与X射线光电子能谱的比较
* '''发布日期'''：2025-03-31 11:34:09+00:00
* '''作者'''：M. Samsel-Czekała, M. Werwiński, A. Szajek, G. Chełkowska, R. Troć
* '''分类'''：cond-mat.mtrl-sci, cond-mat.str-el, physics.comp-ph
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2503.23969v1
'''中文摘要'''：基于实验[[晶体学]]数据，我们计算了[[UGe$_2$]]的[[电子结构]]，并与[[X射线光电子能谱]]([[XPS]])测量结果进行对比。研究采用两种先进的[[全势方法]]：[[FP局域轨道]]([[FPLO]])和[[FP线性缀加平面波]]([[Wien2k]])程序，分别处理[[非磁态]]和[[铁磁态]]。从[[局域自旋密度近似]]([[LSDA]])或[[广义梯度近似]]([[GGA]])出发，我们验证了[[轨道极化]]([[OP]])修正和[[GGA+U]]方法对[[U 5f电子]]的影响，[[库仑排斥能]]U的取值区间为0-4 eV。实验数据与计算结果在以下情况吻合良好：使用[[从头算]][[LSDA+OP]]方法和非从头算[[GGA+U]]方法（U取2-3 eV的实际值）计算的[[磁矩]]。通过[[LSDA+OP]]方法，我们证实了沿a轴存在[[费米面嵌套矢量]]，这可能是[[三重态超导配对]]的成因。计算数据表明[[费米能级]][[EF]]附近的[[能带]]主要呈现[[U 5f电子]]的[[巡游特性]]，[[U 6d]]和[[Ge 4p]]态的贡献较小。实验[[价带]]([[VB]])[[XPS]]谱在[[EF]]处显示尖锐的[[5f电子]]主峰、宽驼峰(约-2 eV)以及高能区的宽小峰。计算[[XPS]]谱中[[5f电子]]主峰宽度（0.8-1.4 eV）因计算方法而异，但未能解析驼峰结构。实验[[4f核能级]][[XPS]]谱中新观测到的1 eV不对称[[卫星峰]]，连同已知的3 eV和7 eV[[卫星峰]]，表明[[UGe$_2$]]中[[U-5f电子]]具有[[双重特性]]，这一特征也从[[价带]]研究中得到佐证。

== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Strain effects in a directly bonded diamond-on-insulator substrate
* '''中文标题'''：直接键合绝缘体上金刚石衬底的应变效应
* '''发布日期'''：2025-03-31 13:06:35+00:00
* '''作者'''：Ioannis Varveris, Gianni D. Aliberti, Tianyin Chen, Filip A. Sfetcu, Diederik J. W. Dekker, Alfred Schuurmans, Nikolaj K. Nitzsche, Salahuddin Nur, Ryoichi Ishihara
* '''分类'''：physics.app-ph, cond-mat.mtrl-sci, quant-ph
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2503.24042v1
'''中文摘要'''：[[绝缘体上金刚石]]（[[DOI]]）衬底的直接键合工艺通过提高[[光子收集效率]]和[[发射器]]间的[[纠缠生成率]]，实现了[[金刚石]]光子结构的[[单片集成]]，适用于[[量子计算]]。该工艺还解决了关键[[制造挑战]]，如[[鲁棒性]]、[[键合强度]]和[[可扩展性]]。本研究探究了直接键合后[[DOI]]衬底的[[应变效应]]。由于键合材料间[[热膨胀系数]]不匹配，预计在[[金刚石]]-[[SiO2]]/[[Si]]界面附近会产生应变。我们通过[[光学检测磁共振]]（[[ODMR]]）和[[光致发光]]（[[PL]]）成像，利用[[金刚石]]中的[[氮空位]]（[[NV]]）中心表征了[[应变]]诱导的[[晶格畸变]]。[[PL]]成像显示未键合区域存在[[干涉条纹]]，表明键合[[不均匀性]]。深度分辨[[ODMR]]测量显示顶部表面与[[DOI]]界面之间的[[体积应变]]分量增加约0.45 [[MHz]]，[[剪切分量]]增加约0.71 [[MHz]]。但[[ODMR]]信号[[对比度]]和[[峰线宽]]基本不受影响，表明[[发射器]]的[[光学性能]]未见明显退化。通过结合[[ODMR]]和[[PL]]成像，本研究建立了评估[[键合质量]]及[[应变]]对[[NV]]中心影响的可靠方法，这是推进可扩展[[量子技术]]和[[集成光子电路]]发展的重要步骤。

== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Half-life and precision shape measurement of 2νββ decay of $^{130}$Te
* '''中文标题'''：$^{130}$Te 2νββ衰变的半衰期和精确形状测量
* '''发布日期'''：2025-03-31 14:19:33+00:00
* '''作者'''：D. Q. Adams, C. Alduino, K. Alfonso, F. T. Avignone III, O. Azzolini, G. Bari, F. Bellini, G. Benato, M. Beretta, M. Biassoni, A. Branca, C. Brofferio, C. Bucci, J. Camilleri, A. Caminata, A. Campani, J. Cao, C. Capelli, S. Capelli, L. Cappelli, L. Cardani, P. Carniti, N. Casali, E. Celi, D. Chiesa, M. Clemenza, S. Copello, O. Cremonesi, R. J. Creswick, A. D'Addabbo, I. Dafinei, S. Dell'Oro, S. Di Domizio, S. Di Lorenzo, T. Dixon, D. Q. Fang, G. Fantini, M. Faverzani, E. Ferri, F. Ferroni, E. Fiorini, M. A. Franceschi, S. J. Freedman, S. H. Fu, B. K. Fujikawa, S. Ghislandi, A. Giachero, M. Girola, L. Gironi, A. Giuliani, P. Gorla, C. Gotti, P. V. Guillaumon, T. D. Gutierrez, K. Han, E. V. Hansen, K. M. Heeger, D. L. Helis, H. Z. Huang, G. Keppel, Yu. G. Kolomensky, R. Kowalski, R. Liu, L. Ma, Y. G. Ma, L. Marini, R. H. Maruyama, D. Mayer, Y. Mei, M. N. Moore, T. Napolitano, M. Nastasi, C. Nones, E. B. Norman, A. Nucciotti, I. Nutini, T. O'Donnell, M. Olmi, B. T. Oregui, S. Pagan, C. E. Pagliarone, L. Pagnanini, M. Pallavicini, L. Pattavina, M. Pavan, G. Pessina, V. Pettinacci, C. Pira, S. Pirro, E. G. Pottebaum, S. Pozzi, E. Previtali, A. Puiu, S. Quitadamo, A. Ressa, C. Rosenfeld, B. Schmidt, A. Shaikina, V. Sharma, V. Singh, M. Sisti, D. Speller, P. T. Surukuchi, L. Taffarello, C. Tomei, A. Torres, J. A. Torres, K. J. Vetter, M. Vignati, S. L. Wagaarachchi, B. Welliver, K. Wilson, J. Wilson, L. A. Winslow, F. Xie, T. Zhu, S. Zimmermann, S. Zucchelli, D. Castillo, J. Kotila, J. Menendez. O. Nitescu, F. Simkovic
* '''分类'''：nucl-ex
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2503.24137v1
'''中文摘要'''：我们利用基于1038公斤年收集曝光量的[[CUORE]]数据完整模型，对[[130Te]]的[[2νββ衰变]]半衰期([[T1/2]])进行了新的测量。通过优化数据选择，测量精度提高了一倍，获得T1/2 = (9.32 +0.05 -0.04（统计误差） +0.07 -0.07（系统误差）) ×10^20年。[[信噪比]]较我们先前结果提高了70%，首次将改进的[[2νββ]]形式体系应用于[[130Te]]研究。在此框架下，我们确定了[[核介质]]中有效[[轴耦合]]随[[核矩阵元素]]变化的可信区间，并提取了高阶核矩阵元素比值：第二/第一和第三/第一矩阵元比值。其中第二/第一比值与[[核模型]]预测相符，而第三/第一比值与理论预期存在偏差。这些发现为核模型提供了关键验证，并为未来[[0νββ]]搜索提供了重要输入参数。