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== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Measurement of substructure-dependent suppression of large-radius jets with charged particles in Pb+Pb collisions with ATLAS
* '''中文标题'''：基于子结构的大半径带电粒子喷注抑制效应在ATLAS铅铅碰撞中的测量
* '''发布日期'''：2025-04-07 08:01:08+00:00
* '''作者'''：ATLAS Collaboration
* '''分类'''：nucl-ex, hep-ex
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2504.04805v1
'''中文摘要'''：摘要：[[铅]]-[[铅碰撞]]中[[喷注]]子结构的测量为研究这些碰撞中产生的[[高温]][[高密度]][[QCD]][[介质]]内的[[喷注淬火]]机制提供了关键见解。本文报道了半径参数$R=1.0$的[[大半径喷注]]的抑制及其对[[喷注子结构]]依赖性的测量。该测量使用[[大型强子对撞机]][[ATLAS探测器]]记录的1.72 nb$^{-1}$[[铅-铅碰撞]]数据和255 pb$^{-1}$的$pp$碰撞数据（[[质心能量]]均为$\sqrt{s_{_\mathrm{NN}}}=5.02$ TeV）。通过[[重聚类]]$R=0.2$的[[量能器]][[喷注]]来重建[[大半径喷注]]，并测量[[横向动量]]超过200 GeV的[[喷注]]。利用[[带电粒子]][[径迹]]评估[[喷注子结构]]，并使用[[喷注核修正因子]]($R_\mathrm{AA}$)量化[[喷注]]整体抑制水平。测量了[[喷注]]$R_\mathrm{AA}$随[[喷注]]$p_{\mathrm{T}}$、[[带电]][[k_t]][[分裂尺度]]($\sqrt{d_{12}}$)以及两个主导[[子喷注]][[角间距]]($dR_{12}$)的变化关系。随着$\sqrt{d_{12}}$增大，[[喷注]]$R_\mathrm{AA}$逐渐降低，表明具有较大[[k_t]][[分裂尺度]]的[[大半径喷注]]受到显著更强的抑制。当$dR_{12}$在0.01-0.2范围内时，[[喷注]]$R_\mathrm{AA}$逐渐减小；而当$dR_{12}\gtrsim0.2$时则保持恒定。观测到的[[喷注抑制]]对[[喷注子结构]]的显著依赖性将为理解其在[[淬火]]过程中的作用提供新见解。

== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Observation of coherent $φ$(1020) meson photoproduction in ultraperipheral PbPb collisions at $\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV
* '''中文标题'''：在$\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV超外围PbPb碰撞中相干$φ$(1020)介子光生观测
* '''发布日期'''：2025-04-07 15:43:00+00:00
* '''作者'''：CMS Collaboration
* '''分类'''：nucl-ex, hep-ex
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2504.05193v1
'''中文摘要'''：首次观测到在每核子对质心能量5.36 [[TeV]]的超外围[[铅]]-[[铅]][[碰撞]]中，重核上相干[[$\phi$(1020)介子]]的[[光致产生]]。数据由[[CMS实验]]收集，对应[[积分亮度]]1.68 $\mu$b$^{-1}$。[[$\phi$(1020)介子]]信号通过[[K$^+$K$^-$]][[衰变道]]重建。产生[[截面]]以[[$\phi$(1020)介子]][[快度]]函数形式呈现（范围0.3 $\lt$ $\lvert y\rvert$ $\lt$ 1.0），探测携带[[核子]][[动量]][[分数]]($x$)约$10^{-4}$的[[胶子]]。观测截面显示对快度依赖性较弱，与将[[原子核]]视为自由[[核子]]集合的[[基准模型]]相比显著抑制约5倍。包含[[核阴影]]或[[胶子饱和]]的[[理论模型]]预测[[$\phi$(1020)介子]]截面抑制且对快度依赖性较小，但预测抑制幅度差异较大。仅考虑[[核阴影]]效应的模型与[[实验数据]]最为吻合。该研究为探索独特[[能标]]下（连接[[微扰]]与[[非微扰]][[量子色动力学]]领域）小$x$区域的[[核效应]]与[[核胶子]][[结构]]建立了强有力的新工具。

== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Interplay Between Structural Defects and Charge Transport Dynamics in MA and FA Modified CsSnI3 Thin Film Semiconductors
* '''中文标题'''：MA与FA修饰的CsSnI3薄膜半导体中结构缺陷与电荷传输动力学的相互作用
* '''发布日期'''：2025-04-07 08:02:17+00:00
* '''作者'''：Gleb V. Segal, Anna A. Zarudnyaya, Anton A. Vasilev, Andrey P. Morozov, Alexandra S. Ivanova, Lev O. Luchnikov, Sergey Yu. Yurchuk, Pavel A. Gostishchev, Danila S. Saranin
* '''分类'''：cond-mat.mtrl-sci, physics.app-ph
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2504.04806v1
'''中文摘要'''：摘要：[[CsSnI3]][[钙钛矿]]因其在[[微晶薄膜]]中的高[[导电性]]，成为[[热电]]和[[光电子]]领域极具前景的[[半导体材料]]。然而薄膜的快速[[氧化]]及本征[[晶格应变]]阻碍了[[器件性能]]的稳定。通过[[钙钛矿]][[分子]][[阳离子]][[工程]]调控[[结构特性]]并抑制[[降解过程]]被认为是一种有效策略，但[[分子工程]]需全面分析[[缺陷行为]]，因其可能影响[[离子运动]]、[[复合动力学]]及[[电容效应]]。在[[能量转换器件]]中有效应用[[CsSnI3]]需综合考虑薄膜[[电导率]]、[[塞贝克系数]]、[[功率因数]]等特性，以及[[器件结构]]中的[[电子瞬态]]与[[电荷传输]]。本研究通过[[甲基铵]]（[[MA]]）和[[甲脒]]（[[FA]]）[[阳离子]][[取代]]对改性[[CsSnI3]]进行了系统探究，揭示了裸膜[[电学参数]]与[[热应力]]后器件（[[p-i-n二极管]]）[[稳定性]]间的复杂关联。[[FA-CsSnI3]]在高温下表现出优异的稳定性，其二极管结构具有改善的[[非理想因子]]、增强的[[分流特性]]和减少的[[陷阱效应]]。对[[MA-CsSnI3]]的[[光致电压]][[弛豫]][[光谱分析]]显示10<sup>16</sup> cm<sup>-3</sup>量级的[[陷阱浓度]]，0.52 [[eV]]（210[[K]]）的[[激活能]]可能源于[[锡]][[原子缺陷]]。研究结果进行了深入分析与讨论。

== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Measurement of substructure-dependent suppression of large-radius jets with charged particles in Pb+Pb collisions with ATLAS
* '''中文标题'''：基于子结构的大半径喷注带电粒子抑制效应在ATLAS铅铅碰撞中的测量
* '''发布日期'''：2025-04-07 08:01:08+00:00
* '''作者'''：ATLAS Collaboration
* '''分类'''：nucl-ex, hep-ex
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2504.04805v1
'''中文摘要'''：摘要：[[铅]]-[[铅碰撞]]中[[喷注]]子结构的测量为研究这些碰撞中产生的[[高温]][[高密度]][[QCD]][[介质]]内的[[喷注淬火]]机制提供了关键见解。本文报道了半径参数$R=1.0$的[[大半径喷注]]的抑制效应及其对[[喷注子结构]]依赖性的测量。该测量使用[[大型强子对撞机]][[ATLAS探测器]]记录的1.72 nb$^{-1}$铅-铅碰撞数据和255 pb$^{-1}$的$pp$碰撞数据（[[质心能量]]均为$\sqrt{s_{_\mathrm{NN}}} = 5.02$ TeV）。通过重聚类$R=0.2$的[[量能器]][[喷注]]来重建大半径喷注，并测量[[横向动量]]超过200 GeV的喷注。利用[[带电粒子]][[径迹]]评估喷注子结构，并使用喷注[[核修正因子]]($R_\mathrm{AA}$)量化喷注整体抑制水平。测量了喷注$R_\mathrm{AA}$随喷注$p_{\mathrm{T}}$、带电$k_t$[[分裂尺度]]($\sqrt{d_{12}}$)以及两个主导[[子喷注]][[角间距]]($dR_{12}$)的变化关系。随着$\sqrt{d_{12}}$增大，喷注$R_\mathrm{AA}$逐渐降低，表明具有较大$k_t$分裂尺度的大半径喷注受到显著更强的抑制。对于$dR_{12}$在0.01-0.2范围内的喷注，$R_\mathrm{AA}$逐渐减小，而当$dR_{12} \gtrsim 0.2$时则保持恒定。观测到的喷注抑制对子结构的显著依赖性将为理解其在淬火过程中的作用提供新见解。