WikiEdge:ArXiv-2408.17442v1/conclusion:修订间差异

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== 研究结论 ==
本文介绍了种基于[[忆阻器]]的计算存储硬件加速器,用于片上训练和推理重点关注其在设备变化、导电差和输入噪声下准确性和效率。
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利用商业可用的基于[[银]]的金属自定向通道(M-SDC)忆阻器真实SPICE模型,研究将固有设备理想性纳入电路仿真中。
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硬件由30个忆阻器和4个[[神经元]]组成,利用[[钨]]、[[铬]]和[[碳]]介质三种不同的M-SDC结构执行二进制[[图像类]]任务。
根据提供文献内容这篇论文的主要结论可以概括如下:
片上训练算法精确调整忆阻器导电性以实现目标权重。结果表明,训练期间加入适度噪声(<15%)以增强对设备变化噪声输入数据[[鲁棒]],
 
即使在导电变化和输入噪声下也能实高达97%[[准确率]]。网络可以不显著损失准确率的情况容忍10%导电误差。值得注意是,
1. '''冯诺伊曼熵的非负时间导数''':研究者推导出了在测量基础反馈(MBF)控制下,冯诺伊曼熵时间导数条件这一结果严格地由系统观测量的方差给定退相干量子所表征。
在训练期间省略初始忆阻器重置脉冲可以显著减少训练时间和能消耗。使用基于铬的忆阻器设计硬件表现出优越的性能,
 
实现了2.4秒的训练时间和18.9毫焦耳的能量消耗。这项研究为开发用于[[边缘应]][[片上学习]]鲁棒能效高基于忆阻器[[神经网络]]提供了见解
2. '''量子系统熵的动态行为''':通过分析,研究者发连续测量效果阻止了冯诺伊曼熵单调增加,从而揭示了退相干影响,受MBF控制量子系统熵动态行为。
 
3. '''子比特稳定化示例''':通过一个简单但具有说明性量子比特系统示例,研究者展示了上述结果有效和物理解释。
 
4. '''研究的潜在应''':论文讨论的结果预期对研究退相干存在下的量子属性动态是有用的,同时指出了未来工作方向,即探索在MBF控制退相干下冯诺伊曼熵基本限制

2024年9月3日 (二) 08:39的最新版本

本文介绍了一种基于忆阻器的计算存储硬件加速器,用于片上训练和推理,重点关注其在设备变化、导电误差和输入噪声下的准确性和效率。 利用商业可用的基于的金属自定向通道(M-SDC)忆阻器的真实SPICE模型,研究将固有的设备非理想性纳入电路仿真中。 硬件由30个忆阻器和4个神经元组成,利用介质的三种不同的M-SDC结构执行二进制图像分类任务。 片上训练算法精确调整忆阻器导电性以实现目标权重。结果表明,训练期间加入适度噪声(<15%)可以增强对设备变化和噪声输入数据的鲁棒性, 即使在导电变化和输入噪声下也能实现高达97%的准确率。网络可以在不显著损失准确率的情况下容忍10%的导电误差。值得注意的是, 在训练期间省略初始忆阻器重置脉冲可以显著减少训练时间和能量消耗。使用基于铬的忆阻器设计的硬件表现出优越的性能, 实现了2.4秒的训练时间和18.9毫焦耳的能量消耗。这项研究为开发用于边缘应用片上学习的鲁棒和能效高的基于忆阻器的神经网络提供了见解。