WikiEdge:ArXiv-2408.17007v1/questions:修订间差异

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介绍了一种基于[[忆阻器]]的计算存储硬件加速器,用于片上训练和推理重点关注在设备变化、导电误差和输入噪声下准确和效率。
在分析这篇论内容时我们需要识别出概念名词,并将其用 [[ ]] 括起来以创建 Wiki 站内链接以下是 wikify 后的论文内容:
利用商业可的基于[[]]的金属自定向通道(M-SDC)忆阻器的真实SPICE模型研究将固有设备非理想性纳入电路仿真中
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硬件由30个忆阻器和4个[[神经元]]组成,利用[[]][[]][[]]介质三种不同的M-SDC结构执行二进制[[图像分类]]任务。
作者面对的是半空间中[[Lane-Emden系统]][[狄利克雷问题]][[Dirichlet problem]]非存在性问题。具体问题包括:
片上训练算法精确调整忆阻器导电以实现目标权重。结果表明,训练期加入适度噪声(<15%)可以增强设备变化和噪声输入数据[[鲁棒]]
* 正[[古典解]]的非存在:在半空中,于给定非线项指数p, q > 1作者试图证明Lane-Emden系统不存在有限条带([[finite strips]])上有界正古典解
即使导电变化和输入噪声下也能实现高达97%的[[准确率]]。网络可以在不显著损失准确率的情况下容忍10%导电误差值得注意的是,
* 非线性项指数的限制:研究结果对于可能无界解需要对p, q施加较强限制例如p, q < p_S,或者在n ≥ 5需要额外限制条件作者的研究动机在放宽这些限制,证明对任意p, q > 1,系统(1.1)在有限条带上无正古典解。
在训练期间省略初始忆阻器重置脉冲可显著减少训练时间和能量消耗。使用基于铬忆阻器设计硬件表现出优越性能
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实现了2.4秒的训练间和18.9毫焦耳能量消耗这项研究为开发用[[边缘应用]]的[[片上学习]]的鲁棒和能效高的基忆阻器的[[神经网络]]提供了见解。

2024年9月3日 (二) 06:49的版本

本文介绍了一种基于忆阻器的计算存储硬件加速器,用于片上训练和推理,重点关注其在设备变化、导电误差和输入噪声下的准确性和效率。 利用商业可用的基于的金属自定向通道(M-SDC)忆阻器的真实SPICE模型,研究将固有的设备非理想性纳入电路仿真中。 硬件由30个忆阻器和4个神经元组成,利用介质的三种不同的M-SDC结构执行二进制图像分类任务。 片上训练算法精确调整忆阻器导电性以实现目标权重。结果表明,训练期间加入适度噪声(<15%)可以增强对设备变化和噪声输入数据的鲁棒性, 即使在导电变化和输入噪声下也能实现高达97%的准确率。网络可以在不显著损失准确率的情况下容忍10%的导电误差。值得注意的是, 在训练期间省略初始忆阻器重置脉冲可以显著减少训练时间和能量消耗。使用基于铬的忆阻器设计的硬件表现出优越的性能, 实现了2.4秒的训练时间和18.9毫焦耳的能量消耗。这项研究为开发用于边缘应用片上学习的鲁棒和能效高的基于忆阻器的神经网络提供了见解。