WikiEdge:ArXiv速递/2025-04-07

摘要

• 原文标题：Measurement of substructure-dependent suppression of large-radius jets with charged particles in Pb+Pb collisions with ATLAS
• 中文标题：基于子结构的大半径带电粒子喷注抑制效应在ATLAS铅铅碰撞中的测量
• 发布日期：2025-04-07 08:01:08+00:00
• 作者：ATLAS Collaboration
• 分类：nucl-ex, hep-ex
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.04805v1

中文摘要：摘要：铅-铅碰撞中喷注子结构的测量为研究这些碰撞中产生的高温高密度QCD介质内的喷注淬火机制提供了关键见解。本文报道了半径参数$R=1.0$的大半径喷注的抑制及其对喷注子结构依赖性的测量。该测量使用大型强子对撞机ATLAS探测器记录的1.72 nb$^{-1}$铅-铅碰撞数据和255 pb$^{-1}$的$pp$碰撞数据（质心能量均为$\sqrt{s_{_\mathrm{NN}}}=5.02$ TeV）。通过重聚类$R=0.2$的量能器喷注来重建大半径喷注，并测量横向动量超过200 GeV的喷注。利用带电粒子径迹评估喷注子结构，并使用喷注核修正因子($R_\mathrm{AA}$)量化喷注整体抑制水平。测量了喷注$R_\mathrm{AA}$随喷注$p_{\mathrm{T}}$、带电k_t分裂尺度($\sqrt{d_{12}}$)以及两个主导子喷注角间距($dR_{12}$)的变化关系。随着$\sqrt{d_{12}}$增大，喷注$R_\mathrm{AA}$逐渐降低，表明具有较大k_t分裂尺度的大半径喷注受到显著更强的抑制。当$dR_{12}$在0.01-0.2范围内时，喷注$R_\mathrm{AA}$逐渐减小；而当$dR_{12}\gtrsim0.2$时则保持恒定。观测到的喷注抑制对喷注子结构的显著依赖性将为理解其在淬火过程中的作用提供新见解。

摘要

• 原文标题：Observation of coherent $φ$(1020) meson photoproduction in ultraperipheral PbPb collisions at $\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV
• 中文标题：在$\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV超外围PbPb碰撞中相干$φ$(1020)介子光生观测
• 发布日期：2025-04-07 15:43:00+00:00
• 作者：CMS Collaboration
• 分类：nucl-ex, hep-ex
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.05193v1

中文摘要：首次观测到在每核子对质心能量5.36 TeV的超外围铅-铅碰撞中，重核上相干$\phi$(1020)介子的光致产生。数据由CMS实验收集，对应积分亮度1.68 $\mu$b$^{-1}$。$\phi$(1020)介子信号通过K$^+$K$^-$衰变道重建。产生截面以$\phi$(1020)介子快度函数形式呈现（范围0.3 $\lt$ $\lvert y\rvert$ $\lt$ 1.0），探测携带核子动量分数($x$)约$10^{-4}$的胶子。观测截面显示对快度依赖性较弱，与将原子核视为自由核子集合的基准模型相比显著抑制约5倍。包含核阴影或胶子饱和的理论模型预测$\phi$(1020)介子截面抑制且对快度依赖性较小，但预测抑制幅度差异较大。仅考虑核阴影效应的模型与实验数据最为吻合。该研究为探索独特能标下（连接微扰与非微扰量子色动力学领域）小$x$区域的核效应与核胶子结构建立了强有力的新工具。

摘要

• 原文标题：Interplay Between Structural Defects and Charge Transport Dynamics in MA and FA Modified CsSnI3 Thin Film Semiconductors
• 中文标题：MA与FA修饰的CsSnI3薄膜半导体中结构缺陷与电荷传输动力学的相互作用
• 发布日期：2025-04-07 08:02:17+00:00
• 作者：Gleb V. Segal, Anna A. Zarudnyaya, Anton A. Vasilev, Andrey P. Morozov, Alexandra S. Ivanova, Lev O. Luchnikov, Sergey Yu. Yurchuk, Pavel A. Gostishchev, Danila S. Saranin
• 分类：cond-mat.mtrl-sci, physics.app-ph
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.04806v1

中文摘要：摘要：CsSnI3钙钛矿因其在微晶薄膜中的高导电性，成为热电和光电子领域极具前景的半导体材料。然而薄膜的快速氧化及本征晶格应变阻碍了器件性能的稳定。通过钙钛矿分子阳离子工程调控结构特性并抑制降解过程被认为是一种有效策略，但分子工程需全面分析缺陷行为，因其可能影响离子运动、复合动力学及电容效应。在能量转换器件中有效应用CsSnI3需综合考虑薄膜电导率、塞贝克系数、功率因数等特性，以及器件结构中的电子瞬态与电荷传输。本研究通过甲基铵（MA）和甲脒（FA）阳离子取代对改性CsSnI3进行了系统探究，揭示了裸膜电学参数与热应力后器件（p-i-n二极管）稳定性间的复杂关联。FA-CsSnI3在高温下表现出优异的稳定性，其二极管结构具有改善的非理想因子、增强的分流特性和减少的陷阱效应。对MA-CsSnI3的光致电压弛豫光谱分析显示10¹⁶ cm^-3量级的陷阱浓度，0.52 eV（210K）的激活能可能源于锡原子缺陷。研究结果进行了深入分析与讨论。

摘要

• 原文标题：Measurement of substructure-dependent suppression of large-radius jets with charged particles in Pb+Pb collisions with ATLAS
• 中文标题：基于子结构的大半径喷注带电粒子抑制效应在ATLAS铅铅碰撞中的测量
• 发布日期：2025-04-07 08:01:08+00:00
• 作者：ATLAS Collaboration
• 分类：nucl-ex, hep-ex
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.04805v1

中文摘要：摘要：铅-铅碰撞中喷注子结构的测量为研究这些碰撞中产生的高温高密度QCD介质内的喷注淬火机制提供了关键见解。本文报道了半径参数$R=1.0$的大半径喷注的抑制效应及其对喷注子结构依赖性的测量。该测量使用大型强子对撞机ATLAS探测器记录的1.72 nb$^{-1}$铅-铅碰撞数据和255 pb$^{-1}$的$pp$碰撞数据（质心能量均为$\sqrt{s_{_\mathrm{NN}}} = 5.02$ TeV）。通过重聚类$R=0.2$的量能器喷注来重建大半径喷注，并测量横向动量超过200 GeV的喷注。利用带电粒子径迹评估喷注子结构，并使用喷注核修正因子($R_\mathrm{AA}$)量化喷注整体抑制水平。测量了喷注$R_\mathrm{AA}$随喷注$p_{\mathrm{T}}$、带电$k_t$分裂尺度($\sqrt{d_{12}}$)以及两个主导子喷注角间距($dR_{12}$)的变化关系。随着$\sqrt{d_{12}}$增大，喷注$R_\mathrm{AA}$逐渐降低，表明具有较大$k_t$分裂尺度的大半径喷注受到显著更强的抑制。对于$dR_{12}$在0.01-0.2范围内的喷注，$R_\mathrm{AA}$逐渐减小，而当$dR_{12} \gtrsim 0.2$时则保持恒定。观测到的喷注抑制对子结构的显著依赖性将为理解其在淬火过程中的作用提供新见解。

摘要

• 原文标题：Data-Driven Molecular Dynamics and TEM Analysis of Platinum Crystal Growth on Graphene and Reactive Hydrogen-Sensing Dynamics
• 中文标题：石墨烯上铂晶体生长的数据驱动分子动力学与透射电镜分析及反应性氢传感动力学
• 发布日期：2025-04-07 19:02:18+00:00
• 作者：Akram Ibrahim, Ahmed M. Hafez, Mahmooda Sultana, Can Ataca
• 分类：cond-mat.mtrl-sci, cond-mat.dis-nn, physics.chem-ph
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.05438v1

中文摘要：铂功能化石墨烯结合了石墨烯优异的载流子迁移率和铂的催化活性，可用于氢传感，但铂晶体生长机制、其与石墨烯的相互作用以及对氢敏感性的影响仍未完全阐明。我们开发了一种高保真等变机器学习原子间势（MLIP），能以接近密度泛函理论（DFT）的精度进行大规模分子动力学（MD）模拟。模拟捕捉了不同沉积负载和速率下的关键生长阶段，包括铂成核、聚结以及多晶团簇或外延薄膜的形成。透射电子显微镜和拉曼测量验证了预测的形貌，显示低铂负载时形成近似球形的小团簇，随着负载增加逐渐演变为稍厚且更平面的结构。反应分子动力学表明，氢在室温下主要在铂纳米结构上解离，向原始石墨烯的溢出极少。此外，氢吸附量随铂负载增加以递减速率上升，而反应动力学在低覆盖率时显著更快，并随负载增加迅速减缓。DFT计算表明，低配位铂团簇会诱导石墨烯产生n型掺杂，当氢吸附消耗铂电子密度时该效应减弱，从而将吸附事件从铂表面传导至铂-石墨烯界面。通过关联沉积条件、纳米结构形貌和氢传感动力学，我们的研究结果表明中等铂负载能有效平衡充分掺杂与显著的铂介导石墨烯电子响应。这些发现强调了将DFT和MLIP模拟与实验相结合对指导新一代化学电阻式气体传感器设计的重要性。

摘要

• 原文标题：Observation of coherent $φ$(1020) meson photoproduction in ultraperipheral PbPb collisions at $\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV
• 中文标题：在$\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV超外围PbPb碰撞中相干$φ$(1020)介子光生现象的观测
• 发布日期：2025-04-07 15:43:00+00:00
• 作者：CMS Collaboration
• 分类：nucl-ex, hep-ex
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.05193v1

中文摘要：首次在每核子对质心能量5.36 TeV的超外围铅-铅碰撞中观测到了重核上相干$\phi$(1020)介子的光致产生。数据由CMS实验采集，对应积分亮度为1.68 $\mu$b$^{-1}$。$\phi$(1020)介子信号通过K$^+$K$^-$衰变道重建。产生截面以$\phi$(1020)介子快度函数形式呈现（范围0.3 $\lt$ $\lvert y\rvert$ $\lt$ 1.0），探测了携带核子动量分数($x$)约$10^{-4}$的胶子。观测截面显示对快度依赖性较弱，且相比将原子核视为自由核子集合的基准模型显著抑制约5倍。包含核阴影或胶子饱和的理论模型预测$\phi$(1020)介子截面会受抑制且对快度依赖性较小，但预测抑制幅度差异显著。仅考虑核阴影效应的模型与实验数据吻合最佳。该研究为探索小$x$区域核效应和核胶子结构建立了新工具，其独特能标连接了微扰与非微扰量子色动力学领域。

摘要

• 原文标题：Interplay Between Structural Defects and Charge Transport Dynamics in MA and FA Modified CsSnI3 Thin Film Semiconductors
• 中文标题：MA与FA修饰CsSnI3薄膜半导体中结构缺陷与电荷传输动力学的相互作用
• 发布日期：2025-04-07 08:02:17+00:00
• 作者：Gleb V. Segal, Anna A. Zarudnyaya, Anton A. Vasilev, Andrey P. Morozov, Alexandra S. Ivanova, Lev O. Luchnikov, Sergey Yu. Yurchuk, Pavel A. Gostishchev, Danila S. Saranin
• 分类：cond-mat.mtrl-sci, physics.app-ph
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.04806v1

中文摘要：摘要：CsSnI3钙钛矿因其在微晶薄膜中的高导电性，成为热电和光电子领域极具前景的半导体材料。然而薄膜的快速氧化及本征晶格应变阻碍了器件性能的稳定。钙钛矿分子的阳离子工程被视为调控结构特性和抑制降解过程的有效策略，但分子工程需对缺陷行为进行深入分析，因其可能影响离子运动、复合动力学及电容效应。在能量转换器件中有效应用CsSnI3需综合考虑薄膜电导率、塞贝克系数、功率因数等特定性质，以及器件结构中的电子瞬态和电荷传输。本研究通过甲基铵(MA)和甲脒(FA)阳离子取代对改性CsSnI3进行了系统研究，发现裸膜电学参数与热应力后器件(p-i-n二极管)稳定性之间存在复杂相互作用。FA-CsSnI3在高温下表现出优异的稳定性，具有改善的二极管非理想因子、增强的分流特性和减少的陷阱效应。对MA-CsSnI3进行的光致电压弛豫光谱分析显示10¹⁶ cm^-3量级的陷阱浓度，其0.52 eV(210K)的活化能可能源于锡原子缺陷。研究结果已通过深度分析与讨论。