WikiEdge:ArXiv速遞/2025-03-31

摘要

• 原文標題：Optimal low-rank approximations for linear Gaussian inverse problems on Hilbert spaces, Part II: posterior mean approximation
• 中文標題：希爾伯特空間上線性高斯反問題的最優低秩逼近方法（第二部分）：後驗均值逼近
• 發布日期：2025-03-31 15:26:48+00:00
• 作者：Giuseppe Carere, Han Cheng Lie
• 分類：math.ST, math.PR, stat.TH, 28C20, 47A58, 60G15, 62F15, 62G05
• 原文連結：http://arxiv.org/abs/2503.24209v1

中文摘要：摘要：本研究針對線性高斯逆問題中的高斯後驗分布構建了最優低秩近似方法。參數空間為可能無限維的可分希爾伯特空間，數據空間則設為有限維。我們考慮了多種後驗分布的近似族：首先研究均值在保持結構或忽略結構的低秩數據變換類中變化、而保持後驗協方差固定的近似後驗，給出了這些近似後驗對所有可能數據實現均與精確後驗等價的充要條件。對此類近似，我們採用Kullback-Leibler散度、Rényi散度、Amari α-散度（α∈(0,1)）及Hellinger距離作為平均數據分布下的誤差度量，據此找到最優近似並建立了唯一性的等價條件，拓展了Spantini等人（SIAM J. Sci. Comput. 2015）在有限維的工作。隨後我們通過聯合變化均值與協方差（協方差採用本工作第一部分所述的低秩更新）進行聯合近似，證明對於反向Kullback-Leibler散度，均值與協方差的單獨最優近似可組合為聯合最優近似。此外，我們還從參數空間最優投影算子的角度解釋了具有最優忽略結構近似均值的聯合近似。

摘要

• 原文標題：Electronic structure of UGe$_2$ at ambient pressure: comparison with X-ray photoemission spectra
• 中文標題：常壓下UGe$_2$的電子結構：與X射線光電子能譜的比較
• 發布日期：2025-03-31 11:34:09+00:00
• 作者：M. Samsel-Czekała, M. Werwiński, A. Szajek, G. Chełkowska, R. Troć
• 分類：cond-mat.mtrl-sci, cond-mat.str-el, physics.comp-ph
• 原文連結：http://arxiv.org/abs/2503.23969v1

中文摘要：基於實驗晶體學數據，我們計算了UGe$_2$的電子結構，並與X射線光電子能譜(XPS)測量結果進行對比。研究採用兩種先進的全勢方法：FP局域軌道(FPLO)和FP線性綴加平面波(Wien2k)程序，分別處理非磁態和鐵磁態。從局域自旋密度近似(LSDA)或廣義梯度近似(GGA)出發，我們驗證了軌道極化(OP)修正和GGA+U方法對U 5f電子的影響，庫侖排斥能U的取值區間為0-4 eV。實驗數據與計算結果在以下情況吻合良好：使用從頭算LSDA+OP方法和非從頭算GGA+U方法（U取2-3 eV的實際值）計算的磁矩。通過LSDA+OP方法，我們證實了沿a軸存在費米面嵌套矢量，這可能是三重態超導配對的成因。計算數據表明費米能級EF附近的能帶主要呈現U 5f電子的巡遊特性，U 6d和Ge 4p態的貢獻較小。實驗價帶(VB)XPS譜在EF處顯示尖銳的5f電子主峰、寬駝峰(約-2 eV)以及高能區的寬小峰。計算XPS譜中5f電子主峰寬度（0.8-1.4 eV）因計算方法而異，但未能解析駝峰結構。實驗4f核能級XPS譜中新觀測到的1 eV不對稱衛星峰，連同已知的3 eV和7 eV衛星峰，表明UGe$_2$中U-5f電子具有雙重特性，這一特徵也從價帶研究中得到佐證。

摘要

• 原文標題：Strain effects in a directly bonded diamond-on-insulator substrate
• 中文標題：直接鍵合絕緣體上金剛石襯底的應變效應
• 發布日期：2025-03-31 13:06:35+00:00
• 作者：Ioannis Varveris, Gianni D. Aliberti, Tianyin Chen, Filip A. Sfetcu, Diederik J. W. Dekker, Alfred Schuurmans, Nikolaj K. Nitzsche, Salahuddin Nur, Ryoichi Ishihara
• 分類：physics.app-ph, cond-mat.mtrl-sci, quant-ph
• 原文連結：http://arxiv.org/abs/2503.24042v1

中文摘要：絕緣體上金剛石（DOI）襯底的直接鍵合工藝通過提高光子收集效率和發射器間的糾纏生成率，實現了金剛石光子結構的單片集成，適用於量子計算。該工藝還解決了關鍵製造挑戰，如魯棒性、鍵合強度和可擴展性。本研究探究了直接鍵合後DOI襯底的應變效應。由於鍵合材料間熱膨脹係數不匹配，預計在金剛石-SiO2/Si界面附近會產生應變。我們通過光學檢測磁共振（ODMR）和光致發光（PL）成像，利用金剛石中的氮空位（NV）中心表徵了應變誘導的晶格畸變。PL成像顯示未鍵合區域存在干涉條紋，表明鍵合不均勻性。深度分辨ODMR測量顯示頂部表面與DOI界面之間的體積應變分量增加約0.45 MHz，剪切分量增加約0.71 MHz。但ODMR信號對比度和峰線寬基本不受影響，表明發射器的光學性能未見明顯退化。通過結合ODMR和PL成像，本研究建立了評估鍵合質量及應變對NV中心影響的可靠方法，這是推進可擴展量子技術和集成光子電路發展的重要步驟。