WikiEdge:ArXiv速递/2025-04-07

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摘要

  • 原文标题：Measurement of substructure-dependent suppression of large-radius jets with charged particles in Pb+Pb collisions with ATLAS
  • 中文标题：基于子结构的大半径带电粒子喷注抑制效应在ATLAS铅铅碰撞中的测量
  • 发布日期：2025-04-07 08:01:08+00:00
  • 作者：ATLAS Collaboration
  • 分类：nucl-ex, hep-ex
  • 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.04805v1

中文摘要：摘要：铅-铅碰撞中喷注子结构的测量为研究这些碰撞中产生的高温高密度QCD介质内的喷注淬火机制提供了关键见解。本文报道了半径参数$R=1.0$的大半径喷注的抑制及其对喷注子结构依赖性的测量。该测量使用大型强子对撞机ATLAS探测器记录的1.72 nb$^{-1}$铅-铅碰撞数据和255 pb$^{-1}$的$pp$碰撞数据（质心能量均为$\sqrt{s_{_\mathrm{NN}}}=5.02$ TeV）。通过重聚类$R=0.2$的量能器喷注来重建大半径喷注，并测量横向动量超过200 GeV的喷注。利用带电粒子径迹评估喷注子结构，并使用喷注核修正因子($R_\mathrm{AA}$)量化喷注整体抑制水平。测量了喷注$R_\mathrm{AA}$随喷注$p_{\mathrm{T}}$、带电k_t分裂尺度($\sqrt{d_{12}}$)以及两个主导子喷注角间距($dR_{12}$)的变化关系。随着$\sqrt{d_{12}}$增大，喷注$R_\mathrm{AA}$逐渐降低，表明具有较大k_t分裂尺度的大半径喷注受到显著更强的抑制。当$dR_{12}$在0.01-0.2范围内时，喷注$R_\mathrm{AA}$逐渐减小；而当$dR_{12}\gtrsim0.2$时则保持恒定。观测到的喷注抑制对喷注子结构的显著依赖性将为理解其在淬火过程中的作用提供新见解。

摘要

  • 原文标题：Observation of coherent $φ$(1020) meson photoproduction in ultraperipheral PbPb collisions at $\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV
  • 中文标题：在$\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV超外围PbPb碰撞中相干$φ$(1020)介子光生观测
  • 发布日期：2025-04-07 15:43:00+00:00
  • 作者：CMS Collaboration
  • 分类：nucl-ex, hep-ex
  • 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.05193v1

中文摘要：首次观测到在每核子对质心能量5.36 TeV的超外围铅-铅碰撞中，重核上相干$\phi$(1020)介子的光致产生。数据由CMS实验收集，对应积分亮度1.68 $\mu$b$^{-1}$。$\phi$(1020)介子信号通过K$^+$K$^-$衰变道重建。产生截面以$\phi$(1020)介子快度函数形式呈现（范围0.3 $\lt$ $\lvert y\rvert$ $\lt$ 1.0），探测携带核子动量分数($x$)约$10^{-4}$的胶子。观测截面显示对快度依赖性较弱，与将原子核视为自由核子集合的基准模型相比显著抑制约5倍。包含核阴影或胶子饱和的理论模型预测$\phi$(1020)介子截面抑制且对快度依赖性较小，但预测抑制幅度差异较大。仅考虑核阴影效应的模型与实验数据最为吻合。该研究为探索独特能标下（连接微扰与非微扰量子色动力学领域）小$x$区域的核效应与核胶子结构建立了强有力的新工具。

摘要

  • 原文标题：Interplay Between Structural Defects and Charge Transport Dynamics in MA and FA Modified CsSnI3 Thin Film Semiconductors
  • 中文标题：MA与FA修饰的CsSnI3薄膜半导体中结构缺陷与电荷传输动力学的相互作用
  • 发布日期：2025-04-07 08:02:17+00:00
  • 作者：Gleb V. Segal, Anna A. Zarudnyaya, Anton A. Vasilev, Andrey P. Morozov, Alexandra S. Ivanova, Lev O. Luchnikov, Sergey Yu. Yurchuk, Pavel A. Gostishchev, Danila S. Saranin
  • 分类：cond-mat.mtrl-sci, physics.app-ph
  • 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.04806v1

中文摘要：摘要：CsSnI3钙钛矿因其在微晶薄膜中的高导电性，成为热电和光电子领域极具前景的半导体材料。然而薄膜的快速氧化及本征晶格应变阻碍了器件性能的稳定。通过钙钛矿分子阳离子工程调控结构特性并抑制降解过程被认为是一种有效策略，但分子工程需全面分析缺陷行为，因其可能影响离子运动、复合动力学及电容效应。在能量转换器件中有效应用CsSnI3需综合考虑薄膜电导率、塞贝克系数、功率因数等特性，以及器件结构中的电子瞬态与电荷传输。本研究通过甲基铵（MA）和甲脒（FA）阳离子取代对改性CsSnI3进行了系统探究，揭示了裸膜电学参数与热应力后器件（p-i-n二极管）稳定性间的复杂关联。FA-CsSnI3在高温下表现出优异的稳定性，其二极管结构具有改善的非理想因子、增强的分流特性和减少的陷阱效应。对MA-CsSnI3的光致电压弛豫光谱分析显示1016 cm-3量级的陷阱浓度，0.52 eV（210K）的激活能可能源于锡原子缺陷。研究结果进行了深入分析与讨论。

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