WikiEdge:ArXiv速遞/2025-04-07
摘要
- 原文標題：Measurement of substructure-dependent suppression of large-radius jets with charged particles in Pb+Pb collisions with ATLAS
- 中文標題：基於子結構的大半徑帶電粒子噴注抑制效應在ATLAS鉛鉛碰撞中的測量
- 發布日期：2025-04-07 08:01:08+00:00
- 作者：ATLAS Collaboration
- 分類：nucl-ex, hep-ex
- 原文鏈接：http://arxiv.org/abs/2504.04805v1
中文摘要：摘要：鉛-鉛碰撞中噴注子結構的測量為研究這些碰撞中產生的高溫高密度QCD介質內的噴注淬火機制提供了關鍵見解。本文報道了半徑參數$R=1.0$的大半徑噴注的抑制及其對噴注子結構依賴性的測量。該測量使用大型強子對撞機ATLAS探測器記錄的1.72 nb$^{-1}$鉛-鉛碰撞數據和255 pb$^{-1}$的$pp$碰撞數據（質心能量均為$\sqrt{s_{_\mathrm{NN}}}=5.02$ TeV）。通過重聚類$R=0.2$的量能器噴注來重建大半徑噴注，並測量橫向動量超過200 GeV的噴注。利用帶電粒子徑跡評估噴注子結構，並使用噴注核修正因子($R_\mathrm{AA}$)量化噴注整體抑制水平。測量了噴注$R_\mathrm{AA}$隨噴注$p_{\mathrm{T}}$、帶電k_t分裂尺度($\sqrt{d_{12}}$)以及兩個主導子噴注角間距($dR_{12}$)的變化關係。隨着$\sqrt{d_{12}}$增大，噴注$R_\mathrm{AA}$逐漸降低，表明具有較大k_t分裂尺度的大半徑噴注受到顯著更強的抑制。當$dR_{12}$在0.01-0.2範圍內時，噴注$R_\mathrm{AA}$逐漸減小；而當$dR_{12}\gtrsim0.2$時則保持恆定。觀測到的噴注抑制對噴注子結構的顯著依賴性將為理解其在淬火過程中的作用提供新見解。
摘要
- 原文標題：Observation of coherent $φ$(1020) meson photoproduction in ultraperipheral PbPb collisions at $\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV
- 中文標題：在$\sqrt{s_\text{NN}}$ = 5.36 TeV超外圍PbPb碰撞中相干$φ$(1020)介子光生觀測
- 發布日期：2025-04-07 15:43:00+00:00
- 作者：CMS Collaboration
- 分類：nucl-ex, hep-ex
- 原文鏈接：http://arxiv.org/abs/2504.05193v1
中文摘要：首次觀測到在每核子對質心能量5.36 TeV的超外圍鉛-鉛碰撞中，重核上相干$\phi$(1020)介子的光致產生。數據由CMS實驗收集，對應積分亮度1.68 $\mu$b$^{-1}$。$\phi$(1020)介子信號通過K$^+$K$^-$衰變道重建。產生截面以$\phi$(1020)介子快度函數形式呈現（範圍0.3 $\lt$ $\lvert y\rvert$ $\lt$ 1.0），探測攜帶核子動量分數($x$)約$10^{-4}$的膠子。觀測截面顯示對快度依賴性較弱，與將原子核視為自由核子集合的基準模型相比顯著抑制約5倍。包含核陰影或膠子飽和的理論模型預測$\phi$(1020)介子截面抑制且對快度依賴性較小，但預測抑制幅度差異較大。僅考慮核陰影效應的模型與實驗數據最為吻合。該研究為探索獨特能標下（連接微擾與非微擾量子色動力學領域）小$x$區域的核效應與核膠子結構建立了強有力的新工具。
摘要
- 原文標題：Interplay Between Structural Defects and Charge Transport Dynamics in MA and FA Modified CsSnI3 Thin Film Semiconductors
- 中文標題：MA與FA修飾的CsSnI3薄膜半導體中結構缺陷與電荷傳輸動力學的相互作用
- 發布日期：2025-04-07 08:02:17+00:00
- 作者：Gleb V. Segal, Anna A. Zarudnyaya, Anton A. Vasilev, Andrey P. Morozov, Alexandra S. Ivanova, Lev O. Luchnikov, Sergey Yu. Yurchuk, Pavel A. Gostishchev, Danila S. Saranin
- 分類：cond-mat.mtrl-sci, physics.app-ph
- 原文鏈接：http://arxiv.org/abs/2504.04806v1
中文摘要：摘要：CsSnI3鈣鈦礦因其在微晶薄膜中的高導電性，成為熱電和光電子領域極具前景的半導體材料。然而薄膜的快速氧化及本徵晶格應變阻礙了器件性能的穩定。通過鈣鈦礦分子陽離子工程調控結構特性並抑制降解過程被認為是一種有效策略，但分子工程需全面分析缺陷行為，因其可能影響離子運動、複合動力學及電容效應。在能量轉換器件中有效應用CsSnI3需綜合考慮薄膜電導率、塞貝克係數、功率因數等特性，以及器件結構中的電子瞬態與電荷傳輸。本研究通過甲基銨（MA）和甲脒（FA）陽離子取代對改性CsSnI3進行了系統探究，揭示了裸膜電學參數與熱應力後器件（p-i-n二極管）穩定性間的複雜關聯。FA-CsSnI3在高溫下表現出優異的穩定性，其二極管結構具有改善的非理想因子、增強的分流特性和減少的陷阱效應。對MA-CsSnI3的光致電壓弛豫光譜分析顯示1016 cm-3量級的陷阱濃度，0.52 eV（210K）的激活能可能源於錫原子缺陷。研究結果進行了深入分析與討論。
摘要
- 原文標題：Measurement of substructure-dependent suppression of large-radius jets with charged particles in Pb+Pb collisions with ATLAS
- 中文標題：基於子結構的大半徑噴注帶電粒子抑制效應在ATLAS鉛鉛碰撞中的測量
- 發布日期：2025-04-07 08:01:08+00:00
- 作者：ATLAS Collaboration
- 分類：nucl-ex, hep-ex
- 原文鏈接：http://arxiv.org/abs/2504.04805v1
中文摘要：摘要：鉛-鉛碰撞中噴注子結構的測量為研究這些碰撞中產生的高溫高密度QCD介質內的噴注淬火機制提供了關鍵見解。本文報道了半徑參數$R=1.0$的大半徑噴注的抑制效應及其對噴注子結構依賴性的測量。該測量使用大型強子對撞機ATLAS探測器記錄的1.72 nb$^{-1}$鉛-鉛碰撞數據和255 pb$^{-1}$的$pp$碰撞數據（質心能量均為$\sqrt{s_{_\mathrm{NN}}} = 5.02$ TeV）。通過重聚類$R=0.2$的量能器噴注來重建大半徑噴注，並測量橫向動量超過200 GeV的噴注。利用帶電粒子徑跡評估噴注子結構，並使用噴注核修正因子($R_\mathrm{AA}$)量化噴注整體抑制水平。測量了噴注$R_\mathrm{AA}$隨噴注$p_{\mathrm{T}}$、帶電$k_t$分裂尺度($\sqrt{d_{12}}$)以及兩個主導子噴注角間距($dR_{12}$)的變化關係。隨着$\sqrt{d_{12}}$增大，噴注$R_\mathrm{AA}$逐漸降低，表明具有較大$k_t$分裂尺度的大半徑噴注受到顯著更強的抑制。對於$dR_{12}$在0.01-0.2範圍內的噴注，$R_\mathrm{AA}$逐漸減小，而當$dR_{12} \gtrsim 0.2$時則保持恆定。觀測到的噴注抑制對子結構的顯著依賴性將為理解其在淬火過程中的作用提供新見解。
摘要
- 原文標題：Data-Driven Molecular Dynamics and TEM Analysis of Platinum Crystal Growth on Graphene and Reactive Hydrogen-Sensing Dynamics
- 中文標題：石墨烯上鉑晶體生長的數據驅動分子動力學與透射電鏡分析及反應性氫傳感動力學
- 發布日期：2025-04-07 19:02:18+00:00
- 作者：Akram Ibrahim, Ahmed M. Hafez, Mahmooda Sultana, Can Ataca
- 分類：cond-mat.mtrl-sci, cond-mat.dis-nn, physics.chem-ph
- 原文鏈接：http://arxiv.org/abs/2504.05438v1
中文摘要：鉑功能化石墨烯結合了石墨烯優異的載流子遷移率和鉑的催化活性，可用於氫傳感，但鉑晶體生長機制、其與石墨烯的相互作用以及對氫敏感性的影響仍未完全闡明。我們開發了一種高保真等變機器學習原子間勢（MLIP），能以接近密度泛函理論（DFT）的精度進行大規模分子動力學（MD）模擬。模擬捕捉了不同沉積負載和速率下的關鍵生長階段，包括鉑成核、聚結以及多晶團簇或外延薄膜的形成。透射電子顯微鏡和拉曼測量驗證了預測的形貌，顯示低鉑負載時形成近似球形的小團簇，隨着負載增加逐漸演變為稍厚且更平面的結構。反應分子動力學表明，氫在室溫下主要在鉑納米結構上解離，向原始石墨烯的溢出極少。此外，氫吸附量隨鉑負載增加以遞減速率上升，而反應動力學在低覆蓋率時顯著更快，並隨負載增加迅速減緩。DFT計算表明，低配位鉑團簇會誘導石墨烯產生n型摻雜，當氫吸附消耗鉑電子密度時該效應減弱，從而將吸附事件從鉑表面傳導至鉑-石墨烯界面。通過關聯沉積條件、納米結構形貌和氫傳感動力學，我們的研究結果表明中等鉑負載能有效平衡充分摻雜與顯著的鉑介導石墨烯電子響應。這些發現強調了將DFT和MLIP模擬與實驗相結合對指導新一代化學電阻式氣體傳感器設計的重要性。