WikiEdge:ArXiv-2409.06156v1/background

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這篇文獻的背景主要集中在以下幾個方面：

1. 負電容效應在微電子領域的應用潛力：
   • 負電容效應能夠突破場效應晶體管（FETs）的亞閾值擺動（SS）下限，實現超低功耗微電子技術。
   • 鐵電材料由於其能量勢壘頂部自然出現的負電容特性，成為實現負電容效應的關鍵材料，但其熱力學不穩定性限制了應用。
2. 鐵電材料中負電容效應的穩定性問題：
   • 鐵電材料的負電容效應在實驗中觀察到，但其穩定性和機理存在爭議，需要進一步的理論分析和實驗驗證。
   • 通過在鐵電材料中引入線性介質層，可以穩定負電容效應，但對介質層厚度和電場條件有嚴格要求。
3. 鐵電/介質異質結構的理論研究：
   • 文獻通過Landau-Devonshire理論對鐵電/介質異質結構中的負電容效應進行了嚴格分析，揭示了不同介質厚度和電場條件下負電容效應的穩定性和特性。
   • 研究結果表明，通過合理設計鐵電/介質異質結構，可以在一定電場窗口內實現穩定的負電容效應，對微電子器件設計具有重要意義。