WikiEdge:ArXiv-2409.06156v1/background

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这篇文献的背景主要集中在以下几个方面：

1. 负电容效应在微电子领域的应用潜力：
   • 负电容效应能够突破场效应晶体管（FETs）的亚阈值摆动（SS）下限，实现超低功耗微电子技术。
   • 铁电材料由于其能量势垒顶部自然出现的负电容特性，成为实现负电容效应的关键材料，但其热力学不稳定性限制了应用。
2. 铁电材料中负电容效应的稳定性问题：
   • 铁电材料的负电容效应在实验中观察到，但其稳定性和机理存在争议，需要进一步的理论分析和实验验证。
   • 通过在铁电材料中引入线性介质层，可以稳定负电容效应，但对介质层厚度和电场条件有严格要求。
3. 铁电/介质异质结构的理论研究：
   • 文献通过Landau-Devonshire理论对铁电/介质异质结构中的负电容效应进行了严格分析，揭示了不同介质厚度和电场条件下负电容效应的稳定性和特性。
   • 研究结果表明，通过合理设计铁电/介质异质结构，可以在一定电场窗口内实现稳定的负电容效应，对微电子器件设计具有重要意义。