查看“WikiEdge:ArXiv速递/2025-04-19”的源代码

== 摘要 ==
* '''原文标题'''：Retrieval of fundamental material parameters of monolayer transition metal dichalcogenides from experimental exciton energies: An analytical approach
* '''中文标题'''：从实验激子能量反演单层过渡金属二硫化物基本材料参数的解析方法
* '''发布日期'''：2025-04-19 05:16:56+00:00
* '''作者'''：Duy-Nhat Ly, Dai-Nam Le, Dang-Khoa D. Le, Van-Hoang Le
* '''分类'''：cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci, cond-mat.str-el, physics.comp-ph
*'''原文链接'''：http://arxiv.org/abs/2504.14187v1
'''中文摘要'''：我们提出了一种直接且高精度的方法，用于通过单层[[过渡金属二硫属化物]]([[TMDCs]])的实验[[磁激子]]能量确定[[材料参数]]，包括[[屏蔽长度]]、[[带隙能量]]、[[激子约化质量]]以及周围介质的[[介电常数]]。该方法基于[[解析公式]]，可直接从实验测得的s态[[激子]]能量E_{1s}、E_{2s}和E_{3s}计算出[[屏蔽长度]]r_0和[[带隙能量]]E_g。我们还建立了周围介质[[介电常数]]κ与[[激子约化质量]]μ之间的关系，该关系将[[TMDC]]单层中[[磁激子]]的[[薛定谔方程]]简化为仅依赖于单一[[材料参数]]μ的[[单参数方程]]。因此，该拟合方法易于实施，通过将计算的[[磁激子]]能量与[[实验数据]]进行比较，可确定真实的[[激子约化质量]]，即最佳拟合值μ。应用此方法，我们从当前多种实验中[[六方氮化硼]]([[hBN]])封装的单层[[TMDCs]]（[[WSe₂]]、[[WS₂]]、[[MoSe₂]]和[[MoS₂]]）的[[磁激子]]能量提取出[[材料参数]]E_g、r_0、μ和κ。此外，我们还利用提取的[[参数]]计算了[[抗磁系数]]和[[激子半径]]等关键[[材料特性]]。