WikiEdge:ArXiv速递/2025-04-19

摘要

• 原文标题：Retrieval of fundamental material parameters of monolayer transition metal dichalcogenides from experimental exciton energies: An analytical approach
• 中文标题：从实验激子能量反演单层过渡金属二硫化物基本材料参数的解析方法
• 发布日期：2025-04-19 05:16:56+00:00
• 作者：Duy-Nhat Ly, Dai-Nam Le, Dang-Khoa D. Le, Van-Hoang Le
• 分类：cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci, cond-mat.str-el, physics.comp-ph
• 原文链接：http://arxiv.org/abs/2504.14187v1

中文摘要：我们提出了一种直接且高精度的方法，用于通过单层过渡金属二硫属化物(TMDCs)的实验磁激子能量确定材料参数，包括屏蔽长度、带隙能量、激子约化质量以及周围介质的介电常数。该方法基于解析公式，可直接从实验测得的s态激子能量E_{1s}、E_{2s}和E_{3s}计算出屏蔽长度r_0和带隙能量E_g。我们还建立了周围介质介电常数κ与激子约化质量μ之间的关系，该关系将TMDC单层中磁激子的薛定谔方程简化为仅依赖于单一材料参数μ的单参数方程。因此，该拟合方法易于实施，通过将计算的磁激子能量与实验数据进行比较，可确定真实的激子约化质量，即最佳拟合值μ。应用此方法，我们从当前多种实验中六方氮化硼(hBN)封装的单层TMDCs（WSe₂、WS₂、MoSe₂和MoS₂）的磁激子能量提取出材料参数E_g、r_0、μ和κ。此外，我们还利用提取的参数计算了抗磁系数和激子半径等关键材料特性。