WikiEdge:ArXiv-2409.06156v1/questions

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作者面对的是微电子领域中，特别是在场效应晶体管（FETs）中降低功耗的挑战。具体问题包括：

1. • 亚阈值摆动（SS）的下限限制问题：在场效应晶体管中，由于Boltzmann分布设定的基本限制，亚阈值摆动（SS）存在一个下限，限制了微电子设备的能效。
   • 铁电负电容效应的稳定性问题：铁电材料在能量势垒顶部自然出现负电容，但其热力学稳定性不足，需要通过线性介质来稳定负电容，以实现超低功耗微电子设备。